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鉀離子電池（KIBs）由于豐富的鉀資源越來越受到關(guān)注。然而，大半徑和高擴(kuò)散屏障通常會導(dǎo)致較差的性能。因此迫切的挑戰(zhàn)是找到合適的陽極材料來促進(jìn)K⁺擴(kuò)散，便于KIBs在未來的大規(guī)模應(yīng)用。

MoS₂由于大的層間距（0.62nm）和更容易的離子嵌入/脫出，是一種很有前途的KIBs陽極材料。之前有研究者采用透明膠帶剝離法制備單層MoS₂，但制備效率太低，實(shí)際應(yīng)用也不理想。此外，通過化學(xué)方法（如CVD和水熱法）制備的MoS₂由于容易堆疊納米片而導(dǎo)致穩(wěn)定性較差，內(nèi)部電導(dǎo)率低，體積膨脹大。

近年來，使用三輥研磨機(jī)進(jìn)行剝離的新技術(shù)引人注目。通過三個水平輥表面的相互擠壓和不同速度下的摩擦來克服層狀材料之間的范德華力。因此，為了解決上述技術(shù)問題，我們提供了用TRILOS三輥機(jī)剝離MoS₂漿料的方法。MoS₂可以被減薄和破碎到不同程度，也可以生產(chǎn)大量高質(zhì)量的納米片。

合成MoS₂@C納米片

將酚醛樹脂（100 g）和塊狀MoS₂（1.2 g，12–16μm）混合攪拌0.5小時，然后用TRILOS TR80A三輥機(jī)對MoS₂進(jìn)行剝離。用酒精清洗幾次后，產(chǎn)物在-45℃溫度下冷凍干燥一天，然后在氬氣氣氛保護(hù)下550℃加熱2小時，吸附在MoS₂納米片表面的介質(zhì)分子高溫處理成碳層，獲得MoS₂@C納米片。

圖1 制備MoS₂@C納米片的示意圖

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